5. Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов | ||
| 1. | Диод Общее обозначение |  |
| 2. | Диод туннельный |  |
| 3. | Диод обращенный |  |
| 4. | Стабилитрон (диод лавинный выпрямительный) а) односторонний |  |
| б) двухсторонний |  | |
| 5. | Диод теплоэлектрический |  |
| 6. | Варикап (диод емкостной) |  |
| 7. | Диод двунаправленный |  |
| 8. | Модуль с несколькими (например, тремя) одинаковыми диодами с общим анодным и самостоятельными катодными выводами |  |
| 9. | Диод Шоттки |  |
| 10. | Диод светоизлучающий |  |
6. Примеры построения обозначений тиристоров | ||
| 1. | Тиристор диодный, запираемый в обратном направлении |  |
| 2. | Тиристор диодный, проводящий в обратном направлении |  |
| 3. | Тиристор диодный симметричный |  |
| 4. | Тиристор триодный. Общее обозначение |  |
| 5. | Тиристор триодный, запираемый в обратном направлении с управлением: по аноду |  |
| по катоду |  | |
| 6. | Тиристор триодный выключаемый: общее обозначение |  |
| запираемый в обратном направлении, с управлением по аноду |  | |
| запираемый в обратном направлении, с управлением по катоду |  | |
| 7. | Тиристор триодный, проводящий в обратном направлении: |  |
| с управлением по катоду |  | |
| 8. | Тиристор триодный симметричный (двунаправленный) — триак |  |
| 9. | Тиристор тетроидный, запираемый в обратном направлении |  |
 | ||
7. Примеры построения обозначений транзисторов | ||
| 1. | Транзистор а) типа PNP |  |
 | ||
| б) типа NPN |  | |
 | ||
| 2. | Транзистор типа NPN, коллектор соединен с корпусом |  |
| 3. | Транзистор лавинный типа NPN |  |
| 4. | Транзистор однопереходный с N-базой |  |
 | ||
| 5. | Транзистор однопереходный с Р-базой |  |
 | ||
| 6. | Транзистор двухбазовый типа NPN |  |
 | ||
| 7. | Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от i-области |  |
| 8. | Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от i-области |  |
| 9. | Транзистор многоэмиттерный типа NPN |  |
8. Примеры построения обозначений полевых транзисторов приведены | ||
| 1. | Транзистор полевой с каналом типа N |  |
 | ||
| 2. | Транзистор полевой с каналом типа Р |  |
| 3. | Транзистор полевой с изолированным затвором без вывода от подложки: а) обогащенного типа с Р-каналом |  |
| б) обогащенного типа с N-каналом |  | |
| в) обедненного типа с Р-каналом |  | |
| г) обедненного типа с N-каналом |  | |
| 4. | Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с N-каналом, с внутренним соединением истока и подложки |  |
| 5. | Транзистор полевой с изолированным затвором с выводом от подложки обогащенного типа с Р-каналом |  |
| 6. | Транзистор полевой с двумя изолированными затворами обедненного типа с Р-каналом с выводом от подложки |  |
| 7. | Транзистор полевой с затвором Шоттки |  |
| 8. | Транзистор полевой с двумя затворами Шоттки |  |
9. Примеры построений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов | ||
| 1. | Фоторезистор: а) общее обозначение |  |
| б) дифференциальный |  | |
| 2. | Фотодиод |  |
| 3. | Фототиристор |  |
| 4. | Фототранзистор: а) типа PNP |  |
| б) типа NPN |  | |
| 5. | Фотоэлемент |  |
| 6. | Фотобатарея |  |
10. Примеры построения обозначений оптоэлектронных приборов | ||
| 1. | Оптрон диодный |  |
| 2. | Оптрон тиристорный |  |
| 3. | Оптрон резисторный |  |
| 4. | Прибор оптоэлектронный с фотодиодом и усилителем |  |
| 5. | Прибор оптоэлектронный с фототранзистором: а) с выводом от базы |  |
| б) без вывода от базы |  | |
11. Примеры построения обозначений прочих полупроводниковых приборов | ||
| 1. | Датчик Холла Токовые выводы датчика изображены линиями, отходящими от коротких сторон прямоугольника |  |
 | ||
| 2. | Резистор магниточувствительный |  |
| 3. | Магнитный разветвитель |  |
В материале использованы изображения условных обозначений из Комплекта для черчения электрических схем.
